Print

В журнале Applied Surface Science (ИФ  5.155) опубликована статья с участием сотрудников Института  Лебедева М.С., Афонина М.Ю., Королькова И.В.

"Optical properties and charge transport of textured Sc2O3 thin films obtained by atomic layer deposition" Lebedev M.S, Kruchinin V.N., Afonin M.Yu., Korolkov I.V., Saraev A.A, Gismatulin A.A., Gritsenko V.A. // Appl. Surf. Sci. 2019 V.478, p.690-698. DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.01.288  Посмотреть статью 

ИНХ СО РАН Sc2O3 thin films

Морфология поверхности и дифрактограммы пленок Sc2O3 в зависимости от условий процесса атомно-слоевого осаждения.
Иллюстрация текстурированности пленок.

 

Пленки оксида скандия толщиной d = 20–100 нм наносились методом атомно-слоевого осаждения (АСО) с использованием трис-(метилциклопентадиенила) скандия (III) Sc(MeCp)3 (синтезированного в ИНХ СО РАН) и паров воды H2O в качестве предшественников при температуре реактора 200–400°C. АСО-окно обнаружено в диапазоне 230-370°C. В этом диапазоне прирост толщины за цикл оставался постоянным и составлял 0.080–0.084 нм / цикл. Пленки являются поликристаллическими. Размер зерна увеличивается с толщиной. Фаза кубического Sc2O3 идентифицирована методами ИК-спектроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифракции.

Пленки являются текстурированными, и их рост происходит в основном в направлении (400). Дисперсии показателя преломления хорошо описываются в рамках модели прозрачной пленки. Оптические свойства слабо зависят от параметров процесса (температура или толщина) и хорошо соответствуют литературным данным для пленок Sc2O3, полученных с применением других методов. Это позволяет успешно использовать систему Sc(MeCp)3/H2O для изготовления оптических устройств, если есть потребность в высокой конформности покрытий, большой площади и прецизионном контроле толщины. Модель многофононной ионизации ловушек Насырова-Гриценко хорошо описывает перенос заряда через полученные пленки. Определены параметры ловушки, которые могут быть использованы для последующего сравнения с результатами квантово-химических расчетов и более детального изучения природы ловушек в Sc2O3.