С 8 по 11 сентября 2026 года ИНХ СО РАН стал центром притяжения для специалистов в области тонкоплёночных технологий. Юбилейная V Международная конференция «Atomic Layer Deposition: Russia-2026» («Атомно-слоевое осаждение: Россия-2026») продолжила традицию научных симпозиумов серии «ALD-Russia», которые ранее принимали Москва (2015), Санкт-Петербург (2017, 2021) и Махачкала (2023). Проведение симпозиума поддержали спонсоры – компании ООО «Техноинфо» (г. Москва) и ООО «ИХТЦ» (г. Томск). В этот раз конференция объединила более 50 участников – как признанных экспертов, так и молодых исследователей, инженеров и представителей производственных компаний со всей страны, включая Санкт-Петербург (СПбГУ, СПбГТИ (ТУ), СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, АО «СКТБ «Кольцова»), Москву (МФТИ, АО «НИИМЭ», ИНМЭ РАН), Махачкалу (ДГУ) и Новосибирск (ИНХ СО РАН, ИФП СО РАН).

Программа конференции получилась исключительно насыщенной и охватила весь спектр актуальных направлений АСО: от химии летучих прекурсоров до моделирования процессов и изготовления отечественных установок.

На открытии конференции были представлены фундаментальные научные школы Новосибирского Академгородка в области газофазных процессов. Развитие направлений, заложенных акад. Ф. А. Кузнецовым, и результаты текущих исследований школы проф. И. К. Игуменова из ИНХ СО РАН представили в своих докладах к.х.н. М. Л. Косинова, к.х.н. М. С. Лебедев, д.х.н. Т. В. Басова и к.х.н. Е. С. Викулова. Ключевые доклады от ИФП СО РАН, где основы химического газофазного осаждения пленок исторически закладывались в лаборатории профессора С. М. Репинского, представили к.х.н. О. И. Семенова и д.т.н. В. Ю. Васильев, детально осветивший технологические «подводные камни» современных процессов атомно-слоевого осаждения.

В блок приглашенных докладов вошли выступления ученых из ведущих центров страны. Представители Санкт-Петербургского государственного технологического института – д.х.н., проф. А. А. Малыгин, д.х.н. А. А. Малков и д.х.н. Е. А. Соснов – ярко представили наследие фундаментальной школы родоначальников идеологии АСО (молекулярного наслаивания) – чл.-корр. АН СССР В. Б. Алесковского и проф. С. И. Кольцова. Серьезный блок докладов был посвящен применению АСО в микро- и оптоэлектронике: д.т.н., проф. А. М. Маркеев (МФТИ) и д.ф.-м.н., проф. В. А. Гриценко (ИФП СО РАН) детально разобрали механизмы транспорта заряда, природу ловушек и получение функциональных диэлектриков для микроэлектронных приложений, а д.ф.-м.н. А. В. Гудовских (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова) представил результаты по росту многослойных структур фосфидов и нитридов третьей группы. Расширение областей применения технологии наглядно показали доклады д.т.н. М. Ю. Максимова (СПбПУ / Сколтех) об оксидных пленках для твердотельных аккумуляторов и к.х.н. Д. В. Назарова (СПбГУ) о покрытиях для биоматериалов.

География конференции вышла за рамки внутрироссийского диалога: в дистанционном формате свои результаты представили ученые из Хуачжунского университета науки и технологии (Ухань, Китай). Доклад Dr. Fan Yang был посвящен применению функциональных оксидов, осажденных методом SALD, для перовскитных солнечных элементов, а Prof. Rong Chen рассказала об инженерии поверхностей и интерфейсов методом АСО для квантовой оптоэлектроники. Практический интерес аудитории вызвал и индустриальный трек, в частности, выступление представителя ООО «Техноинфо» Александра Крынина о современных АСО-системах для отечественного рынка спровоцировало живое обсуждение вопросов создания и эксплуатации оборудования.

Встреча сопровождалась активными научными дискуссиями, а яркими новшествами стали круглый стол по проблемам АСО и конкурс научных работ молодых ученых. Экспертная комиссия особо отметила высокий уровень представленных докладов и определила победителей:

• Лучший стендовый доклад (категория «Студенты»): А. Н. Ковалев (АО «НИИМЭ»);
• Лучший устный доклад (категория «Студенты»): Б. А. Ситчихин (ИНХ СО РАН);
• Победители в категории «Молодой ученый»: У. М. Дамыров (ДГУ), В. Е. Жилицкий (ИФП СО РАН), Д. А. Ольховский (СПбПУ) и Е. А. Хижняк (ИНХ СО РАН).

Оргкомитет «ALD-Russia-2026» искренне благодарит всех участников за теплый прием, продуктивную работу и острые научные дискуссии. Мы надеемся, что мероприятие поспособствовало рождению новых профессиональных союзов, укреплению научных контактов и разработке совместных проектов, открывающих новые технологические возможности для отечественной промышленности. С нетерпением ждем новой встречи на следующей конференции серии в 2028 году!

Материалы конференции доступны на сайте: https://niic.nsc.ru/science/conferences-inx/1070-conferences-2026/5283-aso-rossiya-2026