High purity Indium 99.9999% (6N)
| 
 Impurity  | 
 Content, ppm  | 
 Impurity  | 
 Content, ppm  | 
 Impurity  | 
 Content, ppm  | 
| 
 Ag  | 
 <0.006  | 
 Fe  | 
 0.02  | 
 S  | 
 <0.1  | 
| 
 As  | 
 <0.003  | 
 Ga  | 
 <0.006  | 
 Se  | 
 <0.003  | 
| 
 Al  | 
 0.03  | 
 Mg  | 
 <0.01  | 
 Sn  | 
 <0.02  | 
| 
 Bi  | 
 <0.03  | 
 Mn  | 
 <0.001  | 
 Te  | 
 <0.01  | 
| 
 Cd  | 
<0.03 | Ni | <0.01 | Tl | <0.03 | 
| 
 Cu  | 
 <0.02  | 
 Pb  | 
 <0.02  | 
Zn | <0.003 | 
| High Purity Indium | High Purity Indium for: | 
![]()  | 
 – LCD TVs and computer monitors in the form of indium tin oxide (ITO); – as a starting material in the manufacture of AIIIBV semiconductor materials such as: InP, InAs, InSb, InGaAs, InGaAsP, for infrared detectors and LEDs, ultra-high-efficiency photovoltaic solar cells, electronic switches; – as a starting material for multilayer semiconductor layering using liquid-phase, vapor-phase or molecular beam epitaxy.  | 
Contacts
Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS
Acad. Lavrentyev ave., 3, Novosibirsk, Russia, 630090
Phone: (383) 330 9486
E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.; Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. 



 