Требования к кандидатам в соответствии с квалификационными характеристиками, утвержденными Постановлением Президиума РАН от 25.03.2008 г. № 196.
Срок подачи документов — не позднее 2-х месяцев со дня публикации.
Дата конкурса 27 сентября 2012 года.
Заявление и документы направлять по адресу:
 630090 Новосибирск, пр-т Ак. Лаврентьева, д. 3.
Объявление о конкурсе опубликовано в еженедельной газете «Наука в Сибири» раздел «Вакансии» от 26.07.2012 г. № 28–29 и на сайте Президиума СО РАН
Перечень необходимых документов
Справки по телефону 330-79-49 (отдел кадров).
 Зав. ОК Иванченкова Клавдия Леонидовна.

Академик РАН Фёдор Андреевич Кузнецов
12 июля 2012 года исполняется 80 лет академику, лауреату Государственной премии Фёдору Андреевичу Кузнецову.
Академик Фёдор Андреевич Кузнецов – выдающийся физико-химик и материаловед. Он является одним из ведущих специалистов в нашей стране и за рубежом в области разработки научных основ создания материалов для микроэлектронной техники, количественных методов анализа неорганических материалов, многокомпонентных систем для выращивания кристаллов и слоев из газовой фазы, теоретических основ и методологии термодинамического моделирования процессов синтеза материалов и структур.
Основные направления научных исследований Ф.А. Кузнецова – разработка физико-химических основ создания материалов и структур с заданными свойствами для микро- и оптоэлектроники, экспериментальное и теоретико-расчетное изучение процессов синтеза и деградации материалов и структур, разработка новых технологических процессов и аппаратуры, материаловедческая информатика. Им развита методология количественного исследования одного из наиболее используемых в микроэлектронной технологии типа процессов – химического осаждения из газовой фазы, обоснована содержательность и развита техника термодинамического моделирования процессов синтеза материалов и структур. Под его руководством проводятся обширные исследования взаимосвязи структуры, состава и свойств веществ многослойных структур, составляющих основу элементной базы вычислительной техники, с физическими параметрами.
Ф.А. Кузнецов много сделал для организации и развития информационного обеспечения работ по материаловедению и структурной химии. Под его руководством в Институте создан банк данных свойств материалов электронной техники (СМЭТ), включающий базы термодинамических и структурных данных и комплекс оригинальных программ для проведения моделирования процессов создания материалов и стабильности твердотельных структур.
Характерной особенностью деятельности Ф.А. Кузнецова является системный подход: многие результаты оригинальных научных исследований доведены до значимых приложений, по направлениям проводимых исследований организованы долговременные программы сотрудничества разного уровня.
Ф.А. Кузнецов хорошо известен широкой научной общественности в России и за рубежом благодаря своей многогранной научной и научно-организационной деятельности: он является председателем научного совета РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, руководителем ряда программ Сибирского отделения РАН по материалам, со-руководителем программы научно-технического сотрудничества России и Индии. Долгое время Ф.А. Кузнецов был активным членом комитета КЕМРОН "Химия для нужд человечества", Международного союза теоретической и прикладной химии, сейчас является вице-президентом КОДАТА.
Ф.А. Кузнецов – инициатор организации Азиатско-тихоокеанской академии материалов, долгое время был президентом этой академии. По его инициативе и с активным участием проводятся совместные проекты с научными организациями Индии, Китая, Японии, Германии.
Академиком Ф.А. Кузнецовым много сделано для сохранения и развития научно-технического потенциала России в годы перестройки. Возглавляемый им научный совет РАН регулярно проводит конференцию и школу по проблемам кремния – основного материала современной электроники. По общему признанию эти собрания помогли сохранить «кремниевую команду СНГ». По согласованию с академиком Б.Е. Патоном создана секция функциональных материалов в совете по материалам Международной ассоциации академий наук. Эта секция, регулярно работающая с 2008 года – важный фактор кооперации материаловедов России, Украины, Белоруссии и Азербайджана. По инициативе Ф.А. Кузнецова создана межрегиональная программа «Силовая электроника Сибири». Координация работ в области силовой электроники позволила обеспечить рекордно высокие темпы развития этого производства в Сибири.
С 1983 по 2005 год Ф.А.Кузнецов занимал пост директора Института неорганической химии СО РАН, в настоящее время он является советником РАН.
Научно-исследовательскую работу Фёдор Андреевич сочетает с активной педагогической деятельностью. Он – признанный глава научной школы, до 2005 года заведовал кафедрой в Новосибирском государственном университете. Ф.А. Кузнецов является профессором Шеньянского университета химической технологии (Китай), многократно приглашался для чтения лекций в Университет Тохоку (Япония) и Индийский институт технологии в Дели (Индия).
Работы академика Ф.А.Кузнецова отмечены высокими правительственными наградами: Медаль за трудовую доблесть (1975), Госпремия СССР (1981), Орден Знак почета (1986), Орден Дружбы (2007).
Поздравляем Зевак Екатерину Геннадьевну c получением гранта поддержки молодых ученых ведущих высших учебных заведений и научных исследовательских центров в рамках IV конкурса компании ОПТЕК!
Проект «Дизайн фармацевтических субстанций с использованием крио-нанотехнологий» (н.с., к.б.н. Огиенко А.А., Мызь С.А, Зевак Е.Г. (аспирант ИНХ СО РАН) получил поддержку в рамках IV конкурса компании ОПТЕК на соискание грантов поддержки молодых ученых ведущих высших учебных заведений и научных исследовательских центров. Работа группы посвящена созданию высокоэффективных лекарственных форм широко используемого анальгетика ибупрофена, с использованием сублимационной сушки замороженных растворов в системах с клатратообразованием.
В этом году всего на конкурс было подано 370 заявок, 268 работ допущено к рассмотрению. По итогам оценок экспертного совета выбрано 96 победителей в 7 номинациях. Проект получил самую высокую оценку в направлении «Нанотехнологии».
© ИНХ СО РАН 1998 – 2025 г.