Научно - технологический отдел (НТО, отдел № 123) создан в целях развития прикладного потенциала Института на основании решения Ученого Совета (Протокол заседания № 11 от 1 июня 2006 г.), согласно приказу № 15325-177 ”ЛС” от 29.12.2006. При этом часть сотрудников Группы разработки оборудования и технологии выращивания оксидных кристаллов (Гр. 451) вошла в состав Группы по изучению и разработке технологий химико-металлургических процессов (Гр. 123). Заведующим НТО является Макаров Игорь Васильевич (р.т. (383) 316-58-32). 

Разработки

Сотрудники отдела

Заведующий НТО МАКАРОВ Игорь Васильевич 57-05
59-42
316-58-32 156(2Б)
157(2Б)
165(2Б)
Материально-ответственн. БУЛАЕВА Нина Михайловна 59-43 316-58-32
Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
256(всп.)
  к.х.н. ФЕДОТОВ Валерий Алексеевич 59-43 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.  
  БАХТУРОВ Сергей Александрович 59-42
59-41
  165(2Б)
164(2Б)
  БАХТУРОВ Юрий Александрович 59-42, 59-41   165(2Б)
164(2Б)
  ВЫПРИНЦЕВ Дмитрий Иванович 59-47   147(2Б)
  ЕМЕЛЬЯНОВ Вячеслав Владимирович 54-03,
59-49
59-42
  148(2Б)
149(2Б)
165(2Б)
  КРАВЧЕНКО Сергей Павлович 59-42
57-05
Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. 156(2Б)
157(2Б)
  МАКАРОВ Игорь Васильевич 57-05
59-42
  156(2Б)
157(2Б)
165(2Б)
  СЕМЁНОВ Аркадий Ремович 59-42   165(2Б)

  

Разработки

В Научно-технологическом отделе осуществляется опытное малотоннажное производство высокочистого металлического висмута и высокочистого оксида висмута (квалификация качества по чистоте – 99,999% (5N) и 99,9999% (6N)). Производство ведется по разработанным в ИНХ технологиям, которые постоянно совершенствуются.

 

High purity bismuth in ingots High purity bismuth in ingots
Слитки висмута Bi 6N – 99,9999% 

 

Высокочистый оксид висмута Bi2O3 99.999% (5N)
Порошок оксида висмута Bi2O3 – 99,999%

 

Высокочистый висмут и высокочистый оксид висмута используются при синтезе прекурсоров для получения широкого класса соединений (фармацевтических препаратов, ВТСП керамик, оксидных монокристаллов, стекол специального назначения и оптических волокон), а также при производстве термоэлементов и легкоплавких сплавов.

Согласно разработанной и реализованной в ИНХ технологии висмут проходит многостадийную процедуру очистки. Это гарантирует рекордно малое содержание металлов-примесей и низкую собственную фоновую радиоактивность. Синтез оксида висмута осуществляется прямым окислением расплава висмута кислородом, что значительно снижает уровень загрязнений и задает высокую насыпную плотность материала. По степени чистоты производимый металлический висмут превосходит лучшие образцы, представленные на постоянно действующей выставке-коллекции веществ особой чистоты РАН, а оксид висмута по содержанию примесей находится на уровне или превосходит лучшие зарубежные образцы.

Способы очистки висмута от примесей и получение оксида висмута прямым окислением расплава во вращающемся кварцевом реакторе защищены патентами Российской Федерации. ИНХ СО РАН является единственным крупным производителем этих материалов в странах СНГ. Производимые продукты поставляется за рубеж (США, Франция) и потребляются на действующем в ИНХ СО РАН опытном производстве для выращивания сцинтилляционных кристаллов ортогерманата висмута Bi4Ge3O12 (BGO).

Другой важной задачей, решением которой успешно занимается Отдел, является извлечение ценных компонентов (германий, висмут) из отходов действующего в ИНХ производства оптических элементов из BGO.
Высокие цены на оксид германия и висмут делает особо актуальным переработку производственных отходов роста кристаллов BGO и синтеза Bi2O3 с возвратом ценных компонентов. В отделе разработаны технологии, по которым перерабатываются все виды отходов: тигельные отходы (в основном BGO); шлифовально-оптические отходы (BGO + абразивные порошки); бедные отходы распиловки кристаллов (BGO + абразив + масло); шлаковые и оксидные отходы рафинирования висмута и синтеза Bi2O3; бедные отработанные растворы переработки. При этом извлекаются технический GeO2, GeCl4 и черновой висмут. Соединения дорогостоящего германия отправляются на переработку предприятиям-партнерам. Висмут подвергается очистке  и вводится в технологический цикл производства.

Помимо работ по производству высокочистого металлического висмута и его высокочистого оксида, в отделе постоянно проводятся поисковые исследования по созданию новых, востребованных высокотехнологичных инновационных продуктов:

  • синтез порошков оксидов олова и индия для приготовления мишеней, используемых в производстве дисплейных матриц;
  • синтез высокочистого порошка оксида цинка;
  • синтез и очистка безводных иодидов стронция и европия – прекурсоров для выращивания сцинтилляционных кристаллов;
  • разработка способов снижения радиоактивного фона кристаллов BGO.

Разработана и проверена в укрупненно-лабораторном масштабе комплексная технология и создана аппаратура для рафинирования индия с получением товарного индия марок Ин-00(99,999%), Ин-000(99,9995%).

Результаты исследований представляются на различных конференциях и симпозиумах, в работе которых принимают участие сотрудники отдела, опубликованы статьи в рецензируемых журналах, получено 18 патентов РФ, большинство из которых внедрены в действующее производство. Так, благодаря разработке и внедрению в «голове» технологического цикла рафинирования технологии очистки сырьевого висмута от α- радиоактивных загрязнений, решена актуальная для производителей кристаллов BGO – проблема снижения собственного радиоактивного фона кристаллов. В результате очищенный висмут имеет низкую собственную фоновую радиоактивность и позволяет улучшать качество производимых в институте продуктов: высокочистого металлического висмута, высокочистого оксида висмута, кристаллов ортогерманата висмута (BGO), что повышает их конкурентоспособность на рынке.

 

ФОТОАРХИВ

ИНХ СО РАН НТО

ИНХ СО РАН НТО-2

 

Ученый секретарь Института, д.х.н.

ГЕРАСЬКО Ольга Анатольевна

55-03

330-94-86

234(I)
Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

 

Группа по защите информации

     
Вед. специалист по защите информации ИВАНОВА Дарья Алексеевна 53-03 330-94-86 234(I)
Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Вед. координатор научных мероприятий, д.х.н.

ЛЕВЧЕНКО Людмила Михайловна

54-02

 

340а(I)
Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

 Вед. патентовед

ГУДКОВА Наталья Степановна

55-92

316-55-35

240а(I)
Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

  Библиотека      
Заведующий библиотекой БАЕВА Галина Юрьевна 54-37 316-58-33 237(I)
Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
  Группа документооборота
     
Начальник группы КАПУСТИНА Ирина Владимировна 53-92

факс: 330-94-89

316-55-35

343(I)

Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

  ФЕДОТОВА Милена Мартиновна 54-40 316-55-35

343(I)

Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.