Директор ИНХ СО РАН чл.-корр. РАН В. П. Федин и Почётный доктор ИНХ проф. Ю. Юде.

Вот что рассказал «НВС» о своём китайском коллеге академик Фёдор Андреевич Кузнецов:

— С профессором Ю Юде у нас долгие связи. В 90-е годы он работал заместителем директора одного из лучших институтов Китайской академии наук — Института физики в Пекине. Затем был переведен в Институт полупроводников в той же должности (как я понимаю, для укрепления этой организации). В начале 2000-х годов мы решили проводить регулярный семинар по проблемам материалов и устройств электроники. К настоящему времени проведено уже восемь встреч, попеременно в Китае и России.

Профессор Ю Юде занимается в настоящее время разработкой систем оптической связи элементов интегральных схем. Это должно повысить быстродействие и снизить энергопотребление интегральных схем, содержащих миллиарды транзисторов на чипе. С нашим институтом проводятся совместные работы по исследованию материалов и процессов их синтеза в применении к созданию упомянутых схем.

В наших совместных семинарах традиционно принимают участие учёные Института физики полупроводников СО РАН. Решено, что организатором дальнейших встреч будет ИФП.

Фото В. Новикова

Версия для печати  

(постоянный адрес статьи) 
http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?8+646+1

Поздравляем и желаем крепкого здоровья!

Статья из посвященного этому замечательному событию специального выпуска J. Solid State Electrochem., 2012, Iss. 16.

Статья из J. Solid State Electrochem., 2012, Iss. 16.	230.2 Kb25.07.2012

Газета "Миттельбайерише Цайтунг", от 5 июля 2012 года.

Mittelbayerische Zeitung, 5 Juli 2012

Президиум Сибирского отделения Российской академии наук и Объединённый учёный совет по химическим наукам наук шлют сердечные поздравления по случаю Вашего юбилея. Мы приветствуем Вас, выдающего ся учёного, талантливого организатора науки, крупного специалиста в области термодинамики и неорганического материаловедения.

Ваши работы стали классическими. Под Вашим руководством разработаны способы получения новых материалов для следующего поколения интегральных схем — металлических слоёв для проводящей разводки, подзатворных диэлектриков и межслоевой изоляции. Предложенные Вами термодинамические методы и модели позволили оптими зировать технологию получения слоёв широкого спектра полупроводниковых материалов — от германия и кремния до соединений A3B5 и A2B6. За выдающиеся достижения в этой области Вам присуждена Государственная премия СССР.

Ваши исследования внесли не только важный вклад в мировую науку, но и исключительно перспективны как фундаментальная основа для производства современной электроники. Ваши работы открыли принципиально новые возможности для создания новых приборов и изделий твердотельной техники.

Искусством обучать Вы обладаете в полной мере. Ваши доклады и публичные выступления ценятся не только специалистами, но и вызывают неподдельный интерес у широких кругов научной общественности, привлекают научную молодёжь.Образность изложения, точное и яркое представление и передача проблем снискали Вам славу блестящего лектора.

Вы всегда идете в ногу со временем, постоянно предлагая новые идеи. Вы никогда не ограничиваете Вашу научную деятельность рамками только института. Широко известна Ваша международная деятельность.

Вы один из самых активных членов нашего научного сообщества, и нам особенно приятно, дорогой Федор Андреевич, в день юбилея пожелать Вам дальнейших успехов, а также крепкого здоровья и счастья на долгие годы.

Председатель Сибирского отделения РАН
академик А.Л. Асеев
Главный учёный секретарь Отделения
академик Н.З. Ляхов
Председатель Объединённого учёного совета по химическим наукам СО РАН
академик В.Н. Пармон

«Наука в Сибири», № 26-27 (2861-2862) от 12 июля 2012 г., стр. 2

Версия для печати (постоянный адрес статьи) http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?42+642+1